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韓國加速研發新興存儲器與材料
為穩固全球記憶體龍頭地位，韓國開始將次世代非揮發性記憶體與新興材料、技術列為研發重點，而且將研發成果及大企業閑置資產可由韓國中小型企業運用的方式，促成大型與中小型企業平衡發展，以避免資源過度集中的情形。
 
2013~2017年韓國列為研發重點的5項記憶體相關技術包括相變化記憶體等新興非揮發性記憶體、有助提升記憶體運算效能的銅／石墨烯積層構造技術、三五族通道材料、穿隧式場效電晶體、光學內部連結等技術。
 
通過研發新興記憶體相關材料與技術，韓國計劃開發高附加價值型記憶體核心技術，除朝穿戴式裝置擴大應用范圍外，更將提升容量與增添功能，并降低功耗以符合行動應用低功耗需求。另外，為避免資源浪費，韓國將2012年推動的納米相關計劃與半導體計劃合并組成新團體，以促使成果相互連結。
為平衡三星與封測、IC設計公司等中小型企業間的差距，在韓國政府主導下，如三星等大企業于半導體領域有閑置廠房、設備，將可移轉給中小企業使用，促成韓國大型企業與中小型企業共同成長。
分享到：0  時間：2015-01-07 來源：靈核網整理(011088.cn) 

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